半導体光集積素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 達也 |
| 发表日期 | 1998-10-23 |
| 专利号 | JP2842387B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 メサエッチングを用いずに均一な活性層、導波路幅が作製でき、かつ、発光波長や実効屈折率を簡易な工程で変えられる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体層上にストライプ方向で幅を変化させた2本の平行なストライプ状誘電体薄膜を、結晶成長領域が光導波構造幅のストライプ状開口部となるように半導体表面に形成するし、誘電体薄膜をマスクとして、MOVPE成長により結晶成長領域に半導体層を選択的に結晶成長する。 |
| 公开日期 | 1999-01-06 |
| 申请日期 | 1990-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78360]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 達也. 半導体光集積素子の製造方法. JP2842387B2. 1998-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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