半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 屋敷 健一郎 |
| 发表日期 | 1995-08-04 |
| 专利号 | JP1995202331A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 タイプ2になるためレ-ザダイオ-ドの活性層に用いることのできなかった2-6族化合物半導体の組み合わせを用いて、ダブルヘテロ構造等の十分なキャリヤ閉じ込めを有するレ-ザダイオ-ドを作製する。 【構成】 活性層となる2-6族化合物半導体層14とクラッド層となる2-6族化合物半導体層12,16の間に5ML以下の4族半導体層13、15を有する。4族半導体を挿入することで、4族半導体が2族面に接するか6族面に接するかにより電子、正孔が生じる。それらの電子、正孔が移動してつくる電界がタイプ2の異種接合をタイプ1の異種接合に変える。タイプ1の異種接合で構成される活性層を有するレ-ザ構造は、正孔、電子を効率よく閉じこめることができる。 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78368]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 屋敷 健一郎. 半導体発光素子. JP1995202331A. 1995-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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