窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 仁道 正明 |
| 发表日期 | 1997-01-10 |
| 专利号 | JP1997008412A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザのしきい値を低減する。発光ダイオードの発光効率を向上させる。 【構成】 (0001)方位サファイア基板1上に、In0.06Ga0.94Nバッファ層2、n型In0.06Ga0.94Nクラッド層3、n型In0.06Al0.15Ga0.79Nクラッド層4、層厚50nmのアンドープGaN活性層5、p型In0.06Al0.15Ga0.79Nクラッド層6、p型In0.06Ga0.94Nキャップ層7を順次成長させ、p型In0.06Ga0.94Nキャップ層7上にp側電極8、n型In0.06Ga0.94Nクラッド層3上にn側電極9を形成する。上記の構成において、活性層5の膜厚を十分厚くするとともにこれに引っ張り歪が加わるようにする。また、基板面に垂直方向に偏光された光を基板面に水平方向に放射させる。 |
| 公开日期 | 1997-01-10 |
| 申请日期 | 1995-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78376]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仁道 正明. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP1997008412A. 1997-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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