半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 2000-03-31 |
| 专利号 | JP2000091709A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 注入したキャリアの光への変換効率が高く、光出力が飽和しない半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、p-InPクラッド層104の一部に量子井戸層5を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ·エネルギー以上で有る。これにより、p-InPクラッド層に設けられた量子井戸層5が、キャリア·リサイクル層として機能するので、一度はp-クラッド層にあふれ出した電子をレーザ発振に寄与させることができ、これにより光変換効率が高くなる。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 半導体レーザ素子. JP2000091709A. 2000-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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