半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263802A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 発振領域等の発光に係わる領域の結晶性が優れた回折格子内包型の半導体発光素子を製造可能な方法を得る。 【構成】 半導体基板1上に、第1導電型クラッド層2、活性層3、光ガイド層4、エッチングストップ層5および第2導電型クラッド層6を1回目の結晶成長により形成し、上記第2導電型クラッド層6の一部領域を選択的にエッチングし、このエッチングされた領域においてエッチングストップ層5の上に回折格子18を形成し、この回折格子18の上に、2回目の結晶成長により再度第2導電型クラッド層10を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78393]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹. 半導体発光素子の製造方法. JP1995263802A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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