半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 櫛部 光弘; 国分 義弘 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264894A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 下地基板として、安価で導電性があり表面平坦性が高いSiを用いることができ、かつその上に良質のGaNを形成して素子特性の向上をはかる。 【構成】 Si基板101上にMg0.4Ca0.6F2層102を形成し、該層102の一部に穴を開け、その上にGaN低温成長層103,GaN高温成長層104,AlGaN光ガイド層105,GaN活性層106,AlGaNクラッド層107,GaN電極層108を形成してレーザ構造を実現する。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1995-03-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78397]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫛部 光弘,国分 義弘. 半導体素子及びその製造方法. JP1996264894A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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