半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 天野 利昌; 海上 隆; 中野 純一 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121826A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】活性層を含むメサストライプを埋め込む埋め込み型半導体レーザ素子において発振光干渉領域を排し、無効電流通路を最小にして単一モード化に貢献しつつ低閾値、高効率、高出力化を実現する。 【構成】 GaAsInPを活性層とするp型メサストライプ埋め込み型レーザーのpn型InP埋め込み電流ブロック構造を有する半導体レーザー素子のn型InP電流ブロック層を液相成長させる際にTe元素を添加してTeドープn型InP層とする。Teの添加量は0.010〜0.060モル%が好ましい。さらにGaAsまたはGa元素を00モル%以下添加するのが好ましい。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78414]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天野 利昌,海上 隆,中野 純一. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1993121826A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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