半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 藤本 毅; 内藤 由美 |
| 发表日期 | 2005-02-10 |
| 专利号 | JP3645320B2 |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層へのキャリア閉じ込めを確実にしつつ、内部損失および電気抵抗を低く抑えて、高効率で高出力の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板20上に、順次、第2n型クラッド層11、第1n型クラッド層12、n型キャリアブロック層13、活性層14、p型キャリアブロック層15、第1p型クラッド層16、第2p型クラッド層17、電流狭窄層18、p型コンタクト層19が形成される。キャリアブロック層13、15を1×1018cm-3以上の高ドーピング濃度に、第1クラッド層12、16を3×1017cm-3以下の低ドーピング濃度に、第2クラッド層11、17を1×1018cm-3以上の高ドーピング濃度に形成している。またp型ドーパントとして、拡散性の低い炭素またはマグネシウムを用いている。 |
| 公开日期 | 2005-05-11 |
| 申请日期 | 1995-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78418]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本 毅,内藤 由美. 半導体レーザ素子. JP3645320B2. 2005-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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