光半導体送受信素子
文献类型：专利
| 作者 | 須崎 泰正; 岡安 雅信 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068596A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体送受信素子 |
| 英文摘要 | 【課題】光部品点数を低減しつつ、受光感度が温度に依存せずに受光感度や閾値電流が個別素子と比べても劣らないようにする。 【解決手段】光半導体送受信素子100は、n-InP基板50上に、メサストライプ状の積層部とその両側に形成されたFe-InP70が形成されて、さらに、素子上面および下面には夫々AuZnNi電極31、AuGeNi電極32が設けられている。また、積層部は、MQW活性層10、InPエッチストップ層40、バルク受光層20およびp-InP60(クラッド層22に対応)でなっている。この構造において、活性層バンドギャップ波長をλLD、受光層バンドギャップ波長をλDET 、周囲温度変化幅をΔTとすると「λLD+0.4(nm/℃)×ΔT≦λDET ≦λLD+0.6(nm/℃)×ΔT」なる関係が成立する。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78423]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須崎 泰正,岡安 雅信. 光半導体送受信素子. JP2000068596A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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