窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐野 雅彦; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2002-08-16 |
| 专利号 | JP3339049B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光のファーフィールドパターンが良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 基板10上に、n側クラッド層14とp側クラッド層19に挟まれた少なくとも活性層16を有する第1の導波層102、及びn側クラッド層14の基板10側に積層されている1層以上の窒化物半導体層からなる第2の導波層103を有し、第1の導波層102の共振面を有する端面の少なくとも一方に不透光膜30を有し共振面からの光の放出を抑え、前記共振面と平行な方向にレーザ光を放出できる出射面を第2の導波層103の端面に形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 |
| 公开日期 | 2002-10-28 |
| 申请日期 | 1998-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78428]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野 雅彦,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3339049B2. 2002-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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