光半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 下山謙司; 後藤秀樹 |
| 发表日期 | 2002-05-10 |
| 专利号 | JP3306390B2 |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ストライプ層と埋め込み再成長層との間にボイドまたはストレスが生ずるのを防止する。 【解決手段】 単結晶基板101上にダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル層102,103,104を気相成長させる工程、メサ·エッチングを行う工程、及び埋め込み再成長を行う工程を含む光半導体装置の製造方法において、メサ·エッチングを保護膜を用いて反応性ガスエッチングで行って順メサ面113,114を形成した後、該保護膜を除去することなく連続して埋め込み再成長を行うようにしたものである。 |
| 公开日期 | 2002-07-24 |
| 申请日期 | 1989-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山謙司,後藤秀樹. 光半導体装置の製造方法. JP3306390B2. 2002-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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