半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 玄永 康一; 塩澤 秀夫; 田中 明 |
| 发表日期 | 2006-04-27 |
| 专利号 | JP2006114936A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 クラッド層と活性層との界面で生じるバンドギャップ不連続を低減し 、動作電圧、動作電流の向上を図った半導体レーザ装置を提供することを目的と する。 【解決手段】 本発明における半導体レーザ装置は、結晶基板と、結晶基板上に 設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、結晶基板上に 設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子 部とを有する半導体レーザ装置において、第一のレーザ素子部は、膜厚が0.0 1μm以上、0.1μm以下であるバルク構造の活性層を有し、第二のレーザ素 子部は、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層とを有することを特 徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-04-27 |
| 申请日期 | 2006-01-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78447]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玄永 康一,塩澤 秀夫,田中 明. 半導体レーザ装置. JP2006114936A. 2006-04-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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