半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 栗原 春樹 |
| 发表日期 | 1997-10-31 |
| 专利号 | JP1997283842A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】光ピックアップ用半導体レーザ素子は、光ディスク面からの反射光により光パワーのゆらぎを生じ信号読取りが困難になる。ゆらぎを除去するため外部から数百MHzの高周波電流を負荷してパルス発振を行う方法と、半導体レーザの内部に可飽和吸収領域を設けて自励パルス発振させる方法が知られている。しかし、高周波回路を用いる繁雑さと損失形導波路構造から生ずる駆動電流の増大と、非点収差の増大という欠点がある。 【解決手段】上記の問題点を解決するため、本発明の半導体レーザ素子は電流阻止用ヘテロ接合形成層と可飽和吸収層、又は電流阻止機能を有する可飽和吸収層を第2クラッド層の上部と第2クラッド層の一部に設けたリッジの両側面上に配置し、可飽和吸収層の作用により光パルスの自励発振を生ぜしめ、光ディスク面からの反射光による光パワーのゆらぎを防止する。 |
| 公开日期 | 1997-10-31 |
| 申请日期 | 1996-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78458]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗原 春樹. 半導体レーザ素子. JP1997283842A. 1997-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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