半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 樋江井 太; 玉村 好司 |
| 发表日期 | 1997-12-22 |
| 专利号 | JP1997331114A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 構造中の歪みを制御することにより点欠陥の生成を抑制し活性層の劣化を防止することができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 GaAsにより形成した基板1の上に緩衝層2を介してII-VI族化合物半導体によりそれぞれ形成した第1導電型クラッド層6,第1のガイド層7,活性層8,第2のガイド層9,第2導電型クラッド層10を順次積層する。緩衝層2はGaInP混晶により形成し、組成比を基板1側から第1導電型クラッド層6側に向かって滑らかに変化させる。基板1側の格子定数は基板1の格子定数と整合させ、第1導電型クラッド層6側の格子定数は活性層8の格子定数に対して所定の格子不整を有するように調整する。 |
| 公开日期 | 1997-12-22 |
| 申请日期 | 1996-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78465]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋江井 太,玉村 好司. 半導体発光素子. JP1997331114A. 1997-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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