半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内田 智士 |
| 发表日期 | 2006-02-10 |
| 专利号 | JP3768288B2 |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、高出力動作の可能な低ノイズ半導体レーザー素子を得ることにある。 【解決手段】 本発明の半導体レーザー素子は、半導体基板上1に形成された下部クラッド層2と、この下部クラッド層2上に形成された活性層3と、この活性層3上に形成された上部クラッド層4,6と、上部クラッド層4,6の内に電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えた半導体レーザー素子において、前記電流制限層5,10の複数層からなり、少なくともそのうちの一層5は発光端面付近以外にストライプ溝を有しており、かつ、前記電流路となるストライプ溝を横切る方向にスリットが形成されていることを特徴とするものである。 |
| 公开日期 | 2006-04-19 |
| 申请日期 | 1996-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78469]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 智士. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP3768288B2. 2006-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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