半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1994-01-21 |
| 专利号 | JP1994013704A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】MOCVD法で各層を積層する場合、各層の界面を平坦にして、量子井戸構造の活性層を良質にし、メサ部形成のためにストップエッチング法採用の時にはエッチング停止効果を良好にする。 【構成】活性層を組成の異なる膜の積層によって形成する場合の各膜の成膜の前後、あるいはストップエッチング層形成の前後に成長の中断時間を設けることにより界面の組成の変化が急峻にする。これにより安定して特性のそろった低動作電流のメサ型半導体レーザ素子が製造できる。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1992-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78483]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994013704A. 1994-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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