窒化物系半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 理砂; 石川 正行 |
| 发表日期 | 1999-03-16 |
| 专利号 | JP1999074622A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 SCH構造を採用した場合のキャリアのオーバーフローや再結合確率の低下を抑制することができ、しきい値電流の低減をはかる。 【解決手段】 サファイア基板上101に、InGaN井戸層111とInGaNバリア層112を交互に積層してなる多重量子井戸構造のInGaN系活性層110を一対のGaN光ガイド層105,121で挟み、さらにその外側をp型及びn型の一対のAlGaNクラッド層104,122で挟んだSCH構造を有する窒化物系半導体レーザにおいて、活性層110を構成する多重量子井戸構造のInGaN井戸層111のうち最もp型AlGaNクラッド層122に近い方の一つをシリコン高濃度ドーピングによりn型層にした。 |
| 公开日期 | 1999-03-16 |
| 申请日期 | 1997-08-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78496]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 理砂,石川 正行. 窒化物系半導体発光素子. JP1999074622A. 1999-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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