半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP3149879B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高温時の特性劣化が生じない半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 本発明の半導体レーザは、活性層2とp側クラッド層4との間に多重量子障壁5が設けられており、多重量子障壁5の少なくとも一つの障壁層6に引っ張り応力が加わる材料が用いられると共に、多重量子障壁5の障壁層間に設けられた井戸層7の少なくとも一つに圧縮応力が加わる材料が用いられることにより多重量子障壁5の平均の格子定数が基板の格子定数と整合している。障壁層6に引っ張り応力が加わる材料を用いることにより、そのバンドギャップを十分に高くとることができる。そのため、比較的高温の環境下に置かれてもキャリア、特に電子が活性層からクラッド層へ溢れ出ることを防止でき、特性の劣化が生じない。 |
| 公开日期 | 2001-03-26 |
| 申请日期 | 1991-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78501]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗. 半導体レーザ. JP3149879B2. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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