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面発光型半導体レーザおよびその製造方法

文献类型:专利

作者森 克己; 金子 丈夫; 近藤 貴幸
发表日期1999-02-16
专利号JP1999046036A
著作权人セイコーエプソン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名面発光型半導体レーザおよびその製造方法
英文摘要【目的】面発光型半導体レーザのレーザ発光特性を損なうことなく、レーザ光の偏光面を安定にできる構造を備えた面発光型半導体レーザを提供すること。 【構成】共振器の長さが一波長程度の、基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、p型クラッド層107の上部層まで、半導体の積層体の上面からみて長方形の形状にエッチングされた柱状部分114が形成され、この柱状部分114の周囲に絶縁層110と上部電極111を形成した後、その上に誘電体層112を電子ビーム蒸着法で形成する。
公开日期1999-02-16
申请日期1997-07-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78503]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位セイコーエプソン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
森 克己,金子 丈夫,近藤 貴幸. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP1999046036A. 1999-02-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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