半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 別所 靖之; 庄野 昌幸; 本多 正治; 池上 隆俊; 茨木 晃; 吉年 慶一; 山口 隆夫 |
| 发表日期 | 1995-11-10 |
| 专利号 | JP1995297482A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 発振しきい値電流の上昇および端面の劣化を生じることなくアスペクト比の小さなレーザビームを出射することができる半導体レーザ装置を提供することである。 【構成】 端面近傍のリッジ端部R1,R2の水平方向の幅をリッジ中央部R3の水平方向の幅よりも狭く形成することにより、リッジ中央部R3における素子抵抗を低く保ちつつ、端面における光導波路の幅を狭くする。また、n-電流ブロック層13の材料としてGaAsよりも大きなバンドキャップを有するGaInPを用いることにより、端面での光吸収を低減させる。 |
| 公开日期 | 1995-11-10 |
| 申请日期 | 1994-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78506]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之,庄野 昌幸,本多 正治,等. 半導体レーザ装置. JP1995297482A. 1995-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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