半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 大塚 健一; 遠藤 康行; 今泉 昌之; 井須 俊郎 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299773A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 p型電極のオーミック接触抵抗を低減することにより、半導体素子の動作電圧を低減する。 【構成】 p型電極とp型結晶層との間に、(CuAg)(AlGaIn)(SSeTe)2で表記される銅または銀カルコパイライト結晶もしくはこれらの混晶を含んだ層を設けた。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78508]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 健一,遠藤 康行,今泉 昌之,等. 半導体素子. JP1993299773A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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