光半導体装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆 |
| 发表日期 | 1998-03-17 |
| 专利号 | JP1998075009A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】低損失な光導波路の両脇へ電流狭窄構造を導入した素子容量の小さな、狭メサ構造の光半導体装置を提供する。 【解決手段】n型InP基板1に、SiO2 膜でなる第1のマスク2-1,第2のマスク2-2を形成し、マスク開口部へ、光導波路(3-1A,3-2A,3-3A)の選択成長を行う。光導波路上部および、光導波路の底部から3μm離れた脇にマスク(4-1,4-2,4-3)をパターニングし、光導波路を電流狭窄構造体(5,6)で選択埋め込み成長を行う。マスク4-3のみを除去した後、クラッド層8,キャップ層9の選択成長を行った。選択成長により直接形成された、光導波路に電流ブロック構造を導入した光半導体装置において、素子容量の小さな、狭メサ構造が半導体層のエッチング工程を用いることなく実現される。 |
| 公开日期 | 1998-03-17 |
| 申请日期 | 1996-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78536]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆. 光半導体装置とその製造方法. JP1998075009A. 1998-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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