半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 村田 道夫 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256644A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高発振効率を実現し得る構造の半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 p形基板2上に、p形下部クラッド層4とn形上部クラッド層8が活性層6を挟んで形成され、上部クラッド層8にはp形電流阻止層10によって埋設されたストライプ部12が形成されている。p形下部クラッド層4の屈折率naと、ストライプ部12を含むn形上部クラッド層8の屈折率nbと、p形電流阻止層10の屈折率ncを、ncabの関係に設定することにより、活性層6中に生じる光が下部クラッド層4よりも屈折率の大きなストライプ部12の電流狭窄部分の下方側へ対称性をもって導波され、光の閉じ込め率の向上及びしきい値の低下が実現されることで、レーザ発振効率の向上を実現している。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78551]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村田 道夫. 半導体レーザ装置. JP1998256644A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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