半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古沢 浩太郎; 茨木 晃; 林 伸彦; 松川 健一; 三宅 輝明; 後藤 壮謙 |
| 发表日期 | 2001-09-21 |
| 专利号 | JP3234310B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 信頼性が高いリッジ型埋め込み半導体レーザを製造する。 【構成】 p型クラッド層6,p型キャップ層7からなるリッジ部を含む全域にn型ブロック層8を成長させた後(d)、n型ブロック層をポリッシングし(e)、その後n型ブロック層8へのp型不純物の拡散によりp型コンタクト層19を形成する(f)。または、(d)の工程後、リッジ部上方のn型ブロック層8のみをエッチング除去し、その後全域にp型コンタクト層を形成する。 |
| 公开日期 | 2001-12-04 |
| 申请日期 | 1992-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78579]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古沢 浩太郎,茨木 晃,林 伸彦,等. 半導体レーザの製造方法. JP3234310B2. 2001-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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