半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 石川 卓哉; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1998-11-04 |
| 专利号 | JP1998294524A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層からpクラッド層への電子のオーバーフローを抑制して、温度特性の良好な半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ10は、GaAs基板12上に作製したAlGaInP系の半導体レーザであって、活性層18とp型クラッド層22との間に伸張歪の大きさが2%の電子ストッパ層20を有する。これにより、活性層からpクラッド層への電子のオーバーフローを抑制して、温度特性を向上させる。 |
| 公开日期 | 1998-11-04 |
| 申请日期 | 1997-04-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78602]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 卓哉,粕川 秋彦. 半導体レーザ. JP1998294524A. 1998-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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