半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 国雄; 石田 昌宏 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330547A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系半導体発光素子の活性層へ成長する欠陥の個数を従来よりも少なくする。 【解決手段】 サファイア基板8上にAsを含んだGaNよりなるバッファ層9、n型GaNコンタクト層10、n型Ga0.9Al0.1Nクラッド層11、活性層12、p型Ga0.9Al0.1Nクラッド層13およびp型GaNコンタクト層14が順次積層された構造を有している。バッファ層9におけるAsの含有量は約1019/cm3である。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1998-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78604]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 国雄,石田 昌宏. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1999330547A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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