半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 平山 雄三; 小野村 正明; 森永 素安; 鈴木 信夫; 定政 哲雄; 櫛部 光弘 |
| 发表日期 | 2001-11-16 |
| 专利号 | JP3251615B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 波長可変幅が広く、かつ波長可変時にスペクトル線幅の広がらない波長可変型の半導体レーザ装置を提供することにある。 【構成】 波長可変型のDFB半導体レーザ装置において、共振器方向に沿って活性領域の量子井戸構造(例えば井戸数)を変えて、同一共振器内にキャリア密度-利得特性の異なる複数の活性領域21,22a,22bを設け、これらの活性領域21,22a,22bに対応して複数の電極181 ,182 ,183 を設けたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2002-01-28 |
| 申请日期 | 1991-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78622]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平山 雄三,小野村 正明,森永 素安,等. 半導体レーザ装置. JP3251615B2. 2001-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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