結晶成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 尚孝 |
| 发表日期 | 1996-06-21 |
| 专利号 | JP1996162481A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体基板上にエピタキシャル成長されるII-VI族半導体層に積層欠陥が導入されるのを防止して、発光素子の長寿命化を実現する。 【構成】 [111]B方向に5°オフしたSiドープGaAs(100)基板300上にn型GaAsバッファ層301を形成した後、アンドープZnSeバッファ層302を形成し、その上に本発明に従って、ステップ·フロー·モードの状態でn型ZnS0.06Se0.94バッファ層303を形成する。続いて、その上にn型ZnMgSSeクラッド層304、n型ZnSSe光ガイド層305、アンドープZnCdSe活性層306、p型ZnSSe光ガイド層307、p型ZnMgSSeクラッド層308、p型コンタクト層309を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-06-21 |
| 申请日期 | 1994-12-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78624]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 尚孝. 結晶成長方法. JP1996162481A. 1996-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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