面発光レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 須佐 信彦; 倉持 栄一 |
| 发表日期 | 1997-08-05 |
| 专利号 | JP1997205245A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体基板と平行に反射ミラーを設け、基板と垂直方向にレーザ光を出射する、いわゆる面発光レーザにおいて、優れた特性を有する(n11)面(n=2〜7)基板上に形成した微細島構造を活性層に用いて、面発光レーザの例えば低閾値,電流、高速変調、低チャープ、温度特性の改善等の高性能化を図ることを課題する。 【解決手段】 III-V族化合物半導体の(n11)面(n=2、3、4、5、6、7)基板11上に、基板よりバンドギャップが小さく、かつ格子定数が異なるIII-V族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成した円盤状の半導体からなる微細島構造13と、これを包み込むバンドギャップが大きくかつ格子定数が円盤状の半導体と異なるクラッド層12で構成してなり、該微細島構造13に電子及び正孔を注入して発振させる。 |
| 公开日期 | 1997-08-05 |
| 申请日期 | 1996-01-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78625]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須佐 信彦,倉持 栄一. 面発光レーザ. JP1997205245A. 1997-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。