半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章; 菅野 真実; 近藤 真人; 穴山 親志; 棚橋 俊之 |
| 发表日期 | 1994-09-16 |
| 专利号 | JP1994260714A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 半導体レーザにおいて、屈曲した活性層を得るための下側のクラッド層が薄くても単一横モード制御を行うストライプ幅は広くできるようにする。 【構成】 基板(81)は主表面である(100)面と斜面である(111)B面により第1のストライプの順メサを構成する。埋め込み層(82)は基板の(100)面を除いて(111)B面を被うように形成され、埋め込み層の斜面と基板の(100)面とにより第2のストライプの順メサを構成する。第2のストライプの順メサ上に形成されるダブル·ヘテロ構造(83〜85)の台形形状は、第2のストライプの順メサにより決定される。 |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 申请日期 | 1991-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78633]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,菅野 真実,近藤 真人,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994260714A. 1994-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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