半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡島 正季; 波多腰 玄一; 植松 豊 |
| 发表日期 | 2000-06-16 |
| 专利号 | JP3078553B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To enable the control of a lateral mode without depending on a loss wave guide by a method wherein a part of a clad layer formed on one side of an active layer whose other side faces toward a substrate is made to change in an actual refractive index in the lateral direction by providing a layer of high refractive index layer. CONSTITUTION:A first InGaAlP clad layer 11, an InGaP active layer 12, and a second InGaAlP clad layer 13 are successively laminated on a GaAs substrate 10 to form a double hereto-junction structure. An Int (Ga1-wAlw)1-tP(0.48<=t<=0.52) high refractive index layer 14 is formed on the second InGaAlP clad layer 13, and the high refractive index layer 14 is partially etched into a stripe shape. A Ga1-uAluAs(0.48w+0.23 |
| 公开日期 | 2000-08-21 |
| 申请日期 | 1989-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78654]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡島 正季,波多腰 玄一,植松 豊. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP3078553B2. 2000-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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