半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 菱田 有二 |
| 发表日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1996316527A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 素子構造の自由度が高く、外部への光の取り出し効率が高く、かつへき開により作製可能な半導体発光素子を提供することである。 【構成】 立方晶のn-ZnS基板1上に、n-GaNクラッド層2、InGaN活性層3およびp-GaNクラッド層4をエピタキシャル成長させ、p-GaNクラッド層4上にp側電極5を形成し、n-ZnS基板1の下面にn側電極6を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-11-29 |
| 申请日期 | 1995-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78657]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菱田 有二. 半導体発光素子. JP1996316527A. 1996-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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