半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 一色 邦彦 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299760A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄部と活性層の屈曲部とを位置合わせを必要とせずに一致させることができる半導体発光装置の製造方法を得るものである。 【構成】 半導体基板1の一主面にストライプ状の基板突起部6を形成し、この基板突起部6と同様な形状の下クラッド層2,活性層3,上クラッド層4およびオ-ミックコンタクト層5を順次結晶成長し、前記オ-ミックコンタクト層5表面に前記突起部上では薄く、それ以外では薄いSiO2拡散マスク11を形成し、前記SiO2拡散マスク11の薄い部分では不純物が透膜し、厚い部分では不純物が透膜しないように前記上クラッド層4に達するまで拡散して不純物拡散領域12を形成し、自己整合的に電流狭窄部を形成するものである。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1991-04-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78659]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 一色 邦彦. 半導体発光装置の製造方法. JP1993299760A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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