半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大矢 昌輝; 土井 健嗣 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145546A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlInP電流阻止層を備えたAlGaInP可視半導体レーザにおいて、電流阻止層における光吸収をさらに低減できる構造およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 p-AlGaInPクラッド層5及び7の平坦部とメサ側部との中間の面方位を有するようにn-AlGaAs電流阻止層9を形成し、その上にn-AlInP電流阻止層10を形成する。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78707]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大矢 昌輝,土井 健嗣. 半導体装置及びその製造方法. JP1999145546A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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