半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 信一; 板屋 義夫 |
| 发表日期 | 1995-03-10 |
| 专利号 | JP1995066488A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 1回の埋め込み成長でコンタクト抵抗の小さい半絶縁性高抵抗層埋め込みレーザを提供する。 【構成】 半導体基板5上に、第1の導電型を有するバッファ層2、活性層1、第2の導電型を有するクラッド層3、第2の導電型を有する電極層4を順次配置し、ストライプ状にメサストライプ10を加工形成する。このメサストライプの両側面に半絶縁性高抵抗層を配置した電流阻止層6とする。第2の導電型を有する電極層4と、電流阻止層6が相互に接触しないように選択成長する。電流阻止層の表面の一部を絶縁層7で覆い、メサストライプ10の側面の一部を構成する、第2の導電型を有する電極層4の上面だけでなく側面においても、電極材料8を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-03-10 |
| 申请日期 | 1993-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78742]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,板屋 義夫. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1995066488A. 1995-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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