半導体光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 徹也; 下瀬 佳治 |
| 发表日期 | 2006-09-07 |
| 专利号 | JP2006237133A |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流ブロック層に及ぶ光の損失を低減し、発光効率または増幅効率を従来よりも向上させることが可能な半導体光素子およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 内部ストライプ構造を有する半導体光素子100であって、半導体基板11、第1のクラッド層12、活性層13、第2のクラッド層14、エッチング阻止層15、電流ブロック層16、埋め込みクラッド層17、コンタクト層18、第1の電極19および第2の電極20を備え、電流ブロック層16が、活性層13寄りの光を吸収しない非吸収ブロック層16a、基板表面寄りの光を吸収する吸収ブロック層16b、および、エッチング制御層16cからなり、非吸収ブロック層16aが、開口部を占める埋め込みクラッド層17よりも低い屈折率の材料からなり、吸収ブロック層16bよりも活性層13側に位置する構造を有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-09-07 |
| 申请日期 | 2005-02-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78748]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 徹也,下瀬 佳治. 半導体光素子およびその製造方法. JP2006237133A. 2006-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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