半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 2001-10-12 |
| 专利号 | JP3239550B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体より成る半導体レーザの新規な材料構成を提案し、青色レーザもしくは更に短波長の紫色半導体レーザを提供する。 【構成】 基板上に、II-VI族化合物半導体より成る少なくとも第1のクラッド層、活性層及び第2のクラッド層が積層されて成り、少なくともその一部のII族元素材料にBe及びMgが含まれる構成とする。 |
| 公开日期 | 2001-12-17 |
| 申请日期 | 1993-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78755]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,石橋 晃. 半導体レーザ. JP3239550B2. 2001-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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