半導体レーザー素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲吉▼田 隆 |
| 发表日期 | 1995-05-12 |
| 专利号 | JP1995122820A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 活性層の幅が狭く、メサが高く、リークパスの無い、高温動作特性と高出力特性の優れた半導体レーザーを製造する。 【構成】 p-InP基板11上にp-InPバッファ層12、活性層13、第1のn-InPクラッド層14を順次堆積し、クラッド層14上にSiO2 マスクパターン15aを形成し、少なくともHBrとH2 O2 を含むエッチング液によって活性層13の幅が狭く、かつ高いメサを形成する。次にp-InP基板11及びp-InPバッファ層12に接触するn-InPブロック層16を形成し、活性層13及び第1のn-InPクラッド層14に接触するp-InPブロック層17を形成する。次にSiO2 マスクパターン15aを除去し、第1のn-InPクラッド層14及びp-InPブロック層17上に第2のn-InPクラッド層18を形成する。さらに第2のn-InPクラッド層18上にn-InGaAsPのコンタクト層19を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-05-12 |
| 申请日期 | 1993-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78759]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲吉▼田 隆. 半導体レーザー素子及びその製造方法. JP1995122820A. 1995-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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