半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 柳澤 浩徳; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1995-04-07 |
| 专利号 | JP1995094821A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【構成】基板面方位が(100)方向から〔011〕方向へ傾いた傾角基板を採用し、オフ角度に応じてステップ間隔が定まることを利用して、ステップ間隔と超格子構造の膜厚が略等しくなるように超格子の膜厚を最適化し、ステップ位置における膜厚揺らぎの影響を最小にする。 【効果】実効的なヘテロ障壁が大きくなるために電子が有効に活性層に閉じ込められて、発振に寄与するキャリアの割合が増加するため、低閾値化を図ることができるとともに、高温動作特性の改善を実現できる。 |
| 公开日期 | 1995-04-07 |
| 申请日期 | 1993-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78778]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳澤 浩徳,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995094821A. 1995-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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