窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 憲治; 後藤 順; 河田 雅彦 |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000150959A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】高効率および高信頼性の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を実現する。 【解決手段】第1クラッド層の成長温度とは異なる温度で、または異なる混晶組成比でピット抑制層を量子井戸発光層下に形成することによって、第1クラッド層からの貫通転移に伴う発光層内でのピット密度を大幅に低減させる。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1998-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78780]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,後藤 順,河田 雅彦. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP2000150959A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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