半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 菅田 純雄; 平山 祥之; 清水 均 |
| 发表日期 | 1993-12-24 |
| 专利号 | JP1993343815A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶界面欠陥が少なく、低しきい値で高光出力の半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 ストライプ状メサを有する3-5族化合物半導体基板面上に、それぞれ3-5族化合物半導体からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を順次積層する半導体レーザ素子の製造方法であって、基板面方位が(100)面、メサ斜面方位が(n11)B(ただし、n=1、2、3)であり、Siをドープした上部クラッド層を450℃〜560℃の成長温度で成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-12-24 |
| 申请日期 | 1992-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78790]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅田 純雄,平山 祥之,清水 均. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993343815A. 1993-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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