半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松下 保彦 |
| 发表日期 | 2004-11-12 |
| 专利号 | JP3615386B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体素子の製造工程中に活性層の熱分解による格子欠陥の発生を防止することにある。 【解決手段】 SiC基板1上にp型SiCからなる第1のクラッド層2、In(1-X)GaXN(0≦X(1-Y)GaYN(0≦Y≦1)からなる第2のクラッド層4を順に積層した半導体素子であって、活性層3は、In組成の小さい複数の第1のInGaN層3aとIn組成が第1のInGaN層3aよりも大きい1以上の第2のInGaN層3bを交互に積層した多層膜で構成した。この構造により、活性層3の上部に低温成長可能なn型クラッド層4を成長させることにより、クラッド層4の成長中における活性層3の熱分解による格子欠陥の発生を防止できる。また、多層膜の活性層がバッファ層として機能し、クラッド層2と活性層3の間、並びに活性層3とクラッド層4の層の間に生じる格子定数差に起因する結晶転位やクラックの発生を解消して、結晶品位を高めることができる。 |
| 公开日期 | 2005-02-02 |
| 申请日期 | 1998-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78808]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下 保彦. 半導体素子及びその製造方法. JP3615386B2. 2004-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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