半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 保明 |
| 发表日期 | 2010-03-18 |
| 专利号 | JP2010062431A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。 【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。p型GaNコンタクト層22からp型AlGaNクラッド層20の途中までエッチングされてリッジ部24が形成され、リッジ部24の両側にチャンネル部26が形成されている。リッジ部24の側面とチャンネル部26の上面に反射膜28が形成されている。金属性のp電極32が反射膜28上に形成されている。反射膜28は、屈折率が異なるSiO2膜28aとTa2O5膜28bの対を2対以上積層したものである。SiO2膜28aとTa2O5膜28bの光学厚みはそれぞれ1/4波長である。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-03-18 |
| 申请日期 | 2008-09-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78850]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 保明. 半導体レーザ. JP2010062431A. 2010-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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