半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野口 裕泰 |
| 发表日期 | 1997-06-20 |
| 专利号 | JP1997162498A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型II-VI族化合物半導体導電層上にこれとほぼ格子整合した良質でかつ電気的特性が良好なp型III-V族化合物半導体電極層またはp型IV族半導体電極層が設けられた半導体装置を提供する。 【解決手段】 分子線エピタキシー法によりn型GaAs基板1上にクラッド層、光導波層、活性層などを構成する複数のII-VI族化合物半導体層を順次積層した後、最上層のp型ZnSe層9上にこれとほぼ格子整合するIII-V族化合物半導体またはIV族半導体からなるp型電極層10を積層し、このp型電極層10上にp側電極11を形成するとともに、n型GaAs基板1の裏面にn側電極12を形成して半導体発光素子を製造する。p型電極層10は、基板温度200℃ないし450℃において、原子状または活性水素を照射しつつ、p型ZnSe層9上に成長させる。 |
| 公开日期 | 1997-06-20 |
| 申请日期 | 1995-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78852]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野口 裕泰. 半導体装置およびその製造方法. JP1997162498A. 1997-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。