半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之; 荻田 省一; 小林 宏彦 |
| 发表日期 | 1997-12-16 |
| 专利号 | JP1997326525A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子及びその製造方法に関し、テーパ導波路部において、屈折率差に起因する光の散乱を防止し、また、レーザ部においては素子抵抗を低減する。 【解決手段】 少なくとも光の出射端面10においては、テーパ導波路部8を構成するコア層5に隣接する半導体層、または、その上に積層された半導体層を、コア層5の上部を介してつなげ、また、少なくとも後端面9においては、コア層5の上部の電極に接している半導体層を単一の組成及び導電型にし、且つ、コア層5より幅を広くする。 |
| 公开日期 | 1997-12-16 |
| 申请日期 | 1996-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78860]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之,荻田 省一,小林 宏彦. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1997326525A. 1997-12-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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