半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 玉村 好司; 岩本 浩治; 二木 誠; 岩本 博行 |
| 发表日期 | 1993-04-09 |
| 专利号 | JP1993090708A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力、低動作電流及び長寿命のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザーを実現する。 【構成】 Alx Ga1-x As/GaAs系のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザーのn型Alx Ga1-x As層から成るn型クラッド層3に、n型不純物であるSeに加えて、p型不純物であるZnも含有させる。 |
| 公开日期 | 1993-04-09 |
| 申请日期 | 1991-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78872]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司,岩本 浩治,二木 誠,等. 半導体レーザー. JP1993090708A. 1993-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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