半導体レ-ザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 肇 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112590A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力でかつ高信頼性の半導体レ-ザ装置及びその製造方法を提供する点。 【構成】 n型GaAsコンタクト層は、p型GaAs層とn型GaAs層に成長するために、その結晶内部に欠陥を形成しないので、高出力でかつ高信頼性の半導体レ-ザ装置及びその製造方法が得られる。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78876]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 肇. 半導体レ-ザ装置及びその製造方法. JP1994112590A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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