半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村田 誠; 松村 篤志 |
| 发表日期 | 2009-12-24 |
| 专利号 | JP2009302474A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半絶縁性の埋め込み層を有する電気抵抗の低い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体発光素子10は、活性層18及びp型クラッド層54を含む半導体メサ52と、半導体メサ52を埋め込む半絶縁性の埋め込み層56とを備える。活性層18及びp型クラッド層54は、Z方向に積層されている。p型クラッド層54は、活性層18と半導体メサ52の頂面52tとの間に配置されている。p型クラッド層54及び埋め込み層56はp型の第1ドーパントを含むIII-V族化合物半導体からなる。p型クラッド層54では、Z方向において、活性層18から半導体メサ52の頂面52tに向かうに従って、第1ドーパントの濃度が高くなっている。埋め込み層56では、Z方向において、活性層18から半導体メサ52の頂面52tに向かうに従って、第2ドーパントの濃度が高くなっている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-24 |
| 申请日期 | 2008-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村田 誠,松村 篤志. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2009302474A. 2009-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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