半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 土屋 朋信; 谷渡 剛; 古森 正明; 平本 清久; 佐川 みすず |
| 发表日期 | 1995-06-23 |
| 专利号 | JP1995162083A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】高出力,高信頼性の半導体レーザを作製する。 【構成】GaAs基板1上のInGaPを活性層4とする半導体レーザの端面にZnを拡散し、活性層の拡散領域11の発光波長を活性層内部の非拡散領域の発光波長、及びレーザ光の波長より短波長側にシフトさせる。 【効果】エネルギギャップの拡大により、端面付近でのレーザ光の吸収を低減でき、発熱,光損傷を抑え、高出力化,長寿命化の向上を図ることが出来た。 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 申请日期 | 1993-12-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78896]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土屋 朋信,谷渡 剛,古森 正明,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1995162083A. 1995-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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