半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 内田 徹 |
| 发表日期 | 1996-11-01 |
| 专利号 | JP1996288587A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザに関し、光導波路層とクラッド層とのヘテロ接合界面における積層欠陥や転位の発生を防止してレーザ発振の効率を向上させると共に、再現性良く半導体レーザを製造する。 【構成】 半導体基板1と、半導体基板1との格子定数の差が0.5〜3.0%であるクラッド層3との間にグレーデッドバッファ層2を設けると共に、少なくともIn、Ga、及び、Pを含む光導波路層4、及び、クラッド層3,7に対して0.5〜2.0%の歪みを有する歪み量子井戸活性層6を設けた半導体レーザにおいて、活性層6と光導波路層4との間にGaAs層5を挿入する。 |
| 公开日期 | 1996-11-01 |
| 申请日期 | 1995-04-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78927]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 徹. 半導体レーザ. JP1996288587A. 1996-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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